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J-GLOBAL ID：200902257208128046   整理番号：08A0590614

HVPE法によって成長させた高品質の非極性m面GaN基板

High-quality nonpolar m-plane GaN substrates grown by HVPE

著者 (7件)： FUJITO Kenji (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  KIYOMI Kazumasa (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  MOCHIZUKI Tae (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  OOTA Hirotaka (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  NAMITA Hideo (Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center, Inc., Yokohama, JPN) ,  NAGAO Satoru (Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center, Inc., Yokohama, JPN) ,  FUJIMURA Isao (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 205  号： 5  ページ： 1056-1059  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化物気相エピタクシー(HVPE)によって成長させた高品質で欠陥密度の低いm面GaN基板の特性について報告する。c面GaNバルク結晶から,m面GaN基板を切り出した。その後でm面の表面を研磨し,清浄化した。注意深い表面処理によって,表面の粗さのRMSが0.072nm程度の非常に滑らかな表面を得ることができた。成長方向に沿ってダークスポット密度は減少し,2.5×10⁵cm^-2程度にまで低下させることができた。また,CLおよびPL測定から,積層欠陥は無いことが分かった。偏光Raman測定によって,選択則によって許容される全てのフォノンモードを観測することができた。

シソーラス用語： エピタクシー ,  気相成長 ,  *窒化ガリウム ,  基板 ,  欠陥密度 ,  表面処理 ,  表面粗さ ,  Ramanスペクトル ,  フォノン ,  振動モード ,  *薄膜成長 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 水素化物気相エピタクシ-

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： HVPE ,  成長 ,  高品質 ,  非極性 ,  GaN