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J-GLOBAL ID：200902257374266309   整理番号：04A0906970

良好なデバイス特性を持つ低電圧チタン酸鉛/Siの1トランジスタ強誘電体メモリ

Low voltage lead titanate/Si one-transistor ferroelectric memory with good device characteristics

著者 (4件)： SUN C L (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN S Y (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIAO C C (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIN A (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 85  号： 20  ページ： 4726-4728  発行年： 2004年11月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上にバッファ層なしに直接PbTiO<sub>3</s...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...
準シソーラス用語： 強誘電体メモリ ,...

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： デバイス特性 ,  低電圧 ,  チタン酸鉛 ,  Si ,  トランジスタ ,  強誘電体メモリ