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J-GLOBAL ID：200902257568184613   整理番号：04A0511952

太陽電池用多結晶シリコン薄膜の走査型プローブ顕微鏡によって評価した結晶成長

Crystal growth of polycrystalline silicon thin films for solar cells evaluated by scanning probe microscopy

著者 (9件)： MUHIDA R (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAWAMURA T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HARANO T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKAJIMA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TOYAMA T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKAMOTO H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HONDA S (Ritsumeikan Univ. Kusatsu, Shiga, JPN) ,  TAKAKURA H (Ritsumeikan Univ. Kusatsu, Shiga, JPN) ,  HAMAKAWA Y (Ritsumeikan Univ. Kusatsu, Shiga, JPN)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 338/340  ページ： 682-685  発行年： 2004年06月15日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超短波プラズマ増強化学蒸着で生成した光起電力デバイスグレード...

シソーラス用語： *太陽電池 ,...
準シソーラス用語： シリコン ,...

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分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  電気化学一般  (CB07010N) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 太陽電池 ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  評価 ,  結晶成長