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J-GLOBAL ID：200902257660936478   整理番号：08A0415401

高分子電解質燃料電池の新しい非白金正極用に反応性スパッタリング法を利用し調製したタンタルオキシナイトライド

Tantalum (oxy)nitrides prepared using reactive sputtering for new nonplatinum cathodes of polymer electrolyte fuel cell

著者 (4件)： ISHIHARA Akimitsu (Chemical Energy Lab., Yokohama National Univ., JPN) ,  DOI Shotaro (Chemical Energy Lab., Yokohama National Univ., JPN) ,  MITSUSHIMA Shigenori (Chemical Energy Lab., Yokohama National Univ., JPN) ,  OTA Ken-ichiro (Chemical Energy Lab., Yokohama National Univ., JPN)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 53  号： 16  ページ： 5442-5450  発行年： 2008年06月30日 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子電解質燃料電池用の新しい白金無し正極として,タンタルオキシナイトライド(TaO_xN_y)を研究した。Ar+O₂+N₂雰囲気,基板温度50~800°Cで,高周波マグネトロンスパッタリングを利用し,TaO_xN_y膜を調製した。酸素還元反応(ORR)での触媒活性とTaO_xN_y特性に対する基板温度の影響を調べた。ORRでのTaO_xN_y触媒活性は基板温度上昇と共に増えた。800°Cで調製したTaO_xN_yの0.4V(対RHE)でのORR電流密度は,50°Cで調製したTaO_xN_yのものより約20倍大きかった。ORR電流密度-0.2μA・cm^-2において,ORRでのTaO_xN_yの開始電位を得た。800°Cで調製したTaO_xN_yの開始電位は約0.75V(対RHE)だった。X線回折パターンで,Ta₃N₅構造が基板温度上昇と共に成長することを明らかにした。一方,全試験品のイオン化ポテンシャルはTa₃N₅のものより小さく,基板温度と共に減った。Ta₃N₅構造とより小さなイオン化ポテンシャルを持つTaO_xN_yはORRで明確な触媒活性を示す。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  *固体高分子形燃料電池 ,  *電極材料 ,  *酸化物 ,  *窒化物 ,  *タンタル化合物 ,  薄膜 ,  酸素 ,  還元 ,  触媒活性 ,  温度依存性 ,  電流密度 ,  X線回折 ,  イオン化ポテンシャル ,  *反応性スパッタリング ,  *オキシナイトライド ,  窒化タンタル ,  カソード材料【電池】
準シソーラス用語： 高周波スパッタリング ,  高分子電解質燃料電池 ,  正極材料

分類 (3件)： 燃料電池  (YB04040V) ,  塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高分子電解質燃料電池 ,  白金 ,  正極 ,  反応性スパッタリング ,  調製 ,  タンタル ,  オキシナイトライド