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J-GLOBAL ID：200902257702641937   整理番号：07A0771018

最適化フィールドプレート構造を有する高電圧GaN-HEMTにおけるダイナミックオン抵抗増加の抑制とゲート電荷測定

Suppression of Dynamic On-Resistance Increase and Gate Charge Measurements in High-Voltage GaN-HEMTs With Optimized Field-Plate Structure

著者 (7件)： SAITO Wataru (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NITTA Tomohiro (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KAKIUCHI Yorito (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SAITO Yasunobu (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TSUDA Kunio (Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN) ,  OMURA Ichiro (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YAMAGUCHI Masakazu (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 54  号： 8  ページ： 1825-1830  発行年： 2007年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイナミックオン抵抗増加を抑制した高電圧GaN電力HEMTの...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： *GaN ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  電流,電圧,電荷の計測法・機器  (AD07020C)

タイトルに関連する用語 (8件)： 最適化 ,  フィールドプレート ,  高電圧 ,  GaN ,  HEMT ,  オン抵抗 ,  ゲート ,  電荷測定