文献

J-GLOBAL ID：200902257925793488   整理番号：05A0541045

スパッタしたCoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合の巨大トンネル磁気抵抗のMgO障壁厚とアニーリング温度への依存性

Dependence of Giant Tunnel Magnetoresistance of Sputtered CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junctions on MgO Barrier Thickness and Annealing Temperature

著者 (5件)： HAYAKAWA Jun (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  IKEDA Shoji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUKURA Fumihiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAHASHI Hiromasa (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 16-19  ページ： L587-L589  発行年： 2005年05月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂/Siウエハ上にスパッタリング...

シソーラス用語： *トンネル接合 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0541045&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

引用文献 (14件)：

• 1) T. Miyazaki and N. Tezuka: J. Magn. & Magn. Mater. <B>139</B> (1995) L231.
• 2) J. S. Moodera, L. R. Kinder, T. M. Wong and R. Meservey: Phys. Rev. Lett. 74 (1995) 3273.
• 3) D. Wang, C. Nordman, J. Daughton, Z. Qian and J. Fink: IEEE Trans. Magn. 40 (1995) 2269.
• 4) W. H. Butler, X.-G. Zhang, T. C. Schulthess and J. M. MacLaren: Phys. Rev. B 63 (2001) 054416.
• 5) J. Mathon and A. Umersky: Phys. Rev. B 63 (2001) 220403R.

タイトルに関連する用語 (8件)： スパッタ ,  MgO ,  磁気トンネル接合 ,  トンネル磁気抵抗 ,  障壁 ,  厚 ,  アニーリング温度 ,  依存性