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J-GLOBAL ID：200902258006467392   整理番号：08A0781505

トップΩ形状AuコンタクトをもつバックゲートZnOナノワイアー電界効果トランジスタ

Back-gate ZnO nanowire field-effect transistors each with a top Ω shaped Au contact

著者 (6件)： YANG W. Q. (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China) ,  DAI L. (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China) ,  MA R. M. (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China) ,  LIU C. (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China) ,  SUN T. (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China) ,  QIN G. G. (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Dep. of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 3  ページ： 033102  発行年： 2008年07月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AおよびBと名付けたZnOナノワイアー(NW)を用いて,欠乏ならびに増強モード(Dモード,Eモード)バックゲート金属・絶縁体・半導体電界効果トランジスタ(MISFET)を作製した。各々ZnO/C混合物ならびにZnを用いた蒸気相輸送法によって,NW-AとNW-Bを合成した。MISFETは伝導チャンネル上にトップΩ形状Auコンタクトを持つ。トップΩ形状Auコンタクトを持たないものに比べて,ZnO-NW-A-MISFETのオンオフ比(~10⁶)がファクター10³だけ増大し,これまでに報告されているバックゲートZnO-NW-MISFETの中では最高の値になる。一方,ZnO-NW-B-MISFETはトップAuコンタクトを付加するとDモードならびにEモードに変化する。NW-AおよびBのMISFETの性能に対するAu/ZnO-NWコンタクトの影響について議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *MISFET ,  気相成長 ,  *金 ,  *Ohm接触

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： トップ ,  Au ,  コンタクト ,  バックゲート ,  ZnO ,  ナノワイアー ,  電界効果トランジスタ