HOSHIKAWA Takeshi について
Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN について
TAISHI Toshinori について
Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN について
HUANG Xinming について
Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN について
UDA Satoshi について
Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN について
YAMATANI Muneyoshi について
Kyocera Corp., Nagatanino, Hebimizo, Higashioumi, JPN について
SHIRASAWA Katsuhiko について
Kyocera Corp., Nagatanino, Hebimizo, Higashioumi, JPN について
HOSHIKAWA Keigo について
Fac. of Education, Shinshu Univ., Nagano 380-8544, JPN について
Journal of Crystal Growth について
Czochralski法 について
Si について
半導体の結晶成長 について
半導体の格子欠陥 について
マルチ について
Czochralski法 について
成長 について
Si多結晶 について