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J-GLOBAL ID:200902258226284191   整理番号:07A0892082

マルチシードを使用したCzochralski法により成長させたSi多結晶

Si multicrystals grown by the Czochralski method with multi-seeds
著者 (7件):
資料名:
巻: 307  号:ページ: 466-471  発行年: 2007年09月15日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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転位や副結晶粒界のような欠陥の少数キャリア寿命に対する影響を...
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準シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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半導体の結晶成長  ,  半導体の格子欠陥 
タイトルに関連する用語 (4件):
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