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J-GLOBAL ID：200902258261481579   整理番号：04A0447889

将来の超LSI相互接続に対する,多層カーボンナノチューブならびに「Ti電極との端部結合Ohm接触」の同時形成

Simultaneous Formation of Multiwall Carbon Nanotubes and their End-Bonded Ohmic Contacts to Ti Electrodes for Future ULSI Interconnects

著者 (4件)： NIHEI M (Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN) ,  HORIBE M (Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN) ,  KAWABATA A (Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN) ,  AWANO Y (Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 4B  ページ： 1856-1859  発行年： 2004年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ti電極と低抵抗Ohm接触する多層カーボンナノチューブ(MW...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...
準シソーラス用語： ホットワイヤCVD

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分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (17件)：

• 1) S. Iijima: Nature 354 (1991) 56.
• 2) Z. Yao, C. L. Kane and C. Dekker: Phys. Rev. Lett. 84 (2000) 2941.
• 3) B. Q. Wei, R. Vajtai and P. M. Ajayan: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 1172.
• 4) J. Hone, M. Whitney and A. Zettle: Synthetic Metals 103 (1999) 2498.
• 5) J. Kong, E. Yenilmez, T. W. Tombler, W. Kim and H. Dai: Phys. Rev. Lett. 87 (2001) 106801.

タイトルに関連する用語 (5件)： LSI ,  相互接続 ,  多層カーボンナノチューブ ,  Ti ,  Ohm接触