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J-GLOBAL ID：200902258647023931   整理番号：07A0739425

IGBTのSi限界特性の理論研究

Theoretical Investigation of Silicon Limit Characteristics of IGBT
著者 (1件)：
NAKAGAWA Akio

NAKAGAWA Akio について

(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)

Toshiba Corp., Kawasaki, JPN について


資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)

Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs について


巻： 18th  ページ： 5-8  発行年： 2006年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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これまで大電力用途に広く使用されてきたIGBTはパワーエレク...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*IGBT

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IEGT

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分類 (2件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

,  半導体と絶縁体の電気伝導一般 
(BM03041P)

半導体と絶縁体の電気伝導一般 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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IGBT

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Si

Si について

, 
限界

限界 について

, 
理論

理論 について

, 
研究

研究 について


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