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J-GLOBAL ID：200902258769150179   整理番号：06A0854480

高抵抗p型シリコンへのリチウム拡散プロフィル

Lithium diffusion profile onto highly resistive p-type silicon
著者 (9件)：
KEFFOUS A.

KEFFOUS A. について

(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)

Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA について

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HADJERSI T.

HADJERSI T. について

(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)

Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA について

, 
CHERIET A.

CHERIET A. について

(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)

Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA について

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BOURENANE K.

BOURENANE K. について

(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)

Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA について

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GABOUZE N.

GABOUZE N. について

(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)

Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA について

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BOUKENNOUS Y.

BOUKENNOUS Y. について

(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)

Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA について

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KEZZOULA F.

KEZZOULA F. について

(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)

Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA について

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ZITOUNI M. Amini.

ZITOUNI M. Amini. について

(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)

Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA について

, 
MENARI H.

MENARI H. について

(Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA)

Silicon Technol. Unit (UDTS) 02, Bd Frantz Fanon, BP 399 Alger-Gare, Algiers, DZA について


資料名：
Vacuum  (Vacuum)

Vacuum について


巻： 81  号： 4  ページ： 417-421  発行年： 2006年11月06日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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本研究において,p型高抵抗シリコン中のリチウム(Li)プロフ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*リチウム

リチウム について

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分類 (1件)：
分類
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固体中の拡散一般 
(BL06021L)

固体中の拡散一般 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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P型シリコン

P型シリコン について

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リチウム

リチウム について

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拡散

拡散 について

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プロフィル

プロフィル について


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