1T FeRAM用の(HfO2)x(Al2O3)1-xバッファ絶縁層を持つ長リテンション強誘電体ゲートFET

文献

J-GLOBAL ID：200902259188533200 整理番号：05A0154290

1T FeRAM用の(HfO₂)_x(Al₂O₃)_1-xバッファ絶縁層を持つ長リテンション強誘電体ゲートFET

Long-Retention Ferroelectric-Gate FET with a (HfO₂)_x(Al₂O₃)_1-x Buffer-Insulating Layer for 1T FeRAM

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資料名：
巻： 2004 ページ： 915-918 発行年： 2004年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

金属/強誘電体/絶縁体/半導体(MFIS)FETは1T(tr...

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強誘電体,反強誘電体,強弾性 , 記憶装置 , 半導体集積回路

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