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J-GLOBAL ID：200902259304485197   整理番号：03A0082502

バルクGaN単結晶 フラックス法の成長条件

Bulk GaN single crystals: Growth conditions by flux method.
著者 (5件)：
SONG Y

SONG Y について

(Inst. Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

Inst. Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN について

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WANG W

WANG W について

(Inst. Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

Inst. Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN について

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YUAN W

YUAN W について

(Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN)

Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN について

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WU X

WU X について

(Inst. Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

Inst. Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN について

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CHEN X

CHEN X について

(Inst. Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

Inst. Physics and Center for Condensed Matter Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN について


資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 247  号： 3/4  ページ： 275-278  発行年： 2003年01月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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最近,2気圧を超えない大気圧において約900°Cで直径が2.5...
シソーラス用語：
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*窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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分類 (1件)：
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半導体の結晶成長 
(BK13040X)

半導体の結晶成長 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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バルク

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GaN

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単結晶

単結晶 について

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フラックス法

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成長条件

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