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J-GLOBAL ID：200902259512045885   整理番号：09A1038655

SRAMのアルファ粒子および中性子起因のソフトエラー率とスケーリングトレンド

Alpha Particle and Neutron-induced Soft Error Rates and Scaling Trends in SRAM

著者 (4件)： KOBAYASHI Hajime (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  KAWAMOTO Nobutaka (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  KASE Jun (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHIRAISH Ken (Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 47th Vol.1  ページ： 206-211  発行年： 2009年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルファ線に起因するソフトエラー率(α-SER)を180nmから90nmテクノロジのSRAMを使って高精度で測定するため,地下でリアルタイム測定を行った。更に,加速器を使って中性子線の影響を調べた。超低アルファ線(ULA)グレードの樹脂をパッケージ材料に用いてもα-SERは90nmまで増加し,中性子起因のソフトエラー率(n-SER)よりも大きいことが判った。様々なパッケージ樹脂のアルファ線放射率を調べたところ,LGAグレードであってもばらつきが製品によって5倍程度と大きいことが判った。シミュレーションによればアルファ線の影響は65nmテクノロジから減少し,反対にn-SERは65nmテクノロジまで少しずつ減少し,45nmから増加することを示唆している。

シソーラス用語： *SRAM ,  α粒子ビーム ,  中性子ビーム ,  *誤り率 ,  スケーリング【計数】
準シソーラス用語： *ソフトエラー率

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： SRAM ,  アルファ粒子 ,  中性子 ,  起因 ,  ソフトエラー率