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J-GLOBAL ID：200902259649692756   整理番号：08A0943385

nc-Si MOS構造冷陰極アレイの電子放射特性

著者 (7件)： 嶋脇秀隆 (八戸工大 大学院) ,  木田庸 (八戸工大 大学院) ,  根尾陽一郎 (静大 電研) ,  三村秀典 (静大 電研) ,  村上勝久 (阪大 極限セ) ,  若家富士夫 (阪大 極限セ) ,  高井幹夫 (阪大 極限セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 2  ページ： 632  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ナノ結晶 ,  *MOS構造 ,  *カソード ,  *電子放出 ,  *トンネル効果 ,  アレイ ,  仕事関数
準シソーラス用語： *冷陰極

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： NC ,  Si ,  MOS構造 ,  冷陰極 ,  アレイ ,  電子 ,  放射特性