HfO<sub>2</sub>薄膜における走査プローブ誘起スポットと固定正電荷との相関

MIYATA Noriyuki; OTA Hiroyuki; ICHIKAWA Masakazu

文献

J-GLOBAL ID：200902260006561598 整理番号：05A0374635

HfO₂薄膜における走査プローブ誘起スポットと固定正電荷との相関

Correlation between scanning-probe-induced spots and fixed positive charges in thin HfO₂ films

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=05A0374635&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0374635&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 86 号： 11 ページ： 112906.1-112906.3 発行年： 2005年03月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

SiO₂/Si基板上に電子ビーム蒸着に...

,...
,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0374635&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

酸化物薄膜 , 金属-絶縁体-半導体構造

, , , , , , ,

前のページに戻る

HfO2薄膜における走査プローブ誘起スポットと固定正電荷との相関

HfO₂薄膜における走査プローブ誘起スポットと固定正電荷との相関