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J-GLOBAL ID:200902260064858614   整理番号:04A0094247

HfO2ゲート誘電体とTaNゲート電極を持つエピタキシャル歪ゲルマニウムp-MOSFET

Epitaxial Strained Germanium p-MOSFETs with HfO2 Gate Dielectric and TaN Gate Electrode
著者 (9件):
資料名:
巻: 2003  ページ: 433-436  発行年: 2003年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高kゲート誘電体の出現によって,将来の超小型MOSFETにシ...
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属-絶縁体-半導体構造  ,  トランジスタ  ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般 

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