HfO<sub>2</sub>ゲート誘電体とTaNゲート電極を持つエピタキシャル歪ゲルマニウムp-MOSFET

RITENOUR A; YU S; LEE M L; LU N; BAI W; PITERA A; FITZGERALD E A; KWONG D L; ANTONIADIS D A

文献

J-GLOBAL ID：200902260064858614 整理番号：04A0094247

HfO₂ゲート誘電体とTaNゲート電極を持つエピタキシャル歪ゲルマニウムp-MOSFET

Epitaxial Strained Germanium p-MOSFETs with HfO₂ Gate Dielectric and TaN Gate Electrode

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Technical Digest. International Electron Devices Meeting (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

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巻： 2003 ページ： 433-436 発行年： 2003年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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