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J-GLOBAL ID：200902260698526860   整理番号：09A0149600

伸縮可能な透明電極向けのグラフェン膜の大規模パターン成長

Large-scale pattern growth of graphene films for stretchable transparent electrodes

著者 (11件)： KIM Keun Soo (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  ZHAO Yue (Columbia Univ., New York, USA) ,  JANG Houk (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE Sang Yoon (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  KIM Jong Min (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  KIM Kwang S. (Pohang Univ. Sci. and Technol., Pohang, KOR) ,  AHN Jong-Hyun (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Philip (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Philip (Columbia Univ., New York, USA) ,  CHOI Jae-Young (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  HONG Byung Hee (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 457  号： 7230  ページ： 706-710  発行年： 2009年02月05日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの大規模パターン成長に関する問題は,この材料のデバイス用途への利用を阻む主な障害の1つとなっている。最近,グラファイト結晶や酸化グラフェンから化学的に得たグラフェンシートを二次元的に集合させることにより,巨視的規模のグラフェン膜が作製された。しかし,これらの膜のシート抵抗は,理論的に予想される値よりもはるかに大きいことがわかっている。今回我々は,化学気相成長法を使った,ニッケル薄層上での大規模グラフェン膜の直接合成について報告し,大規模グラフェン膜をパターニングして任意の基板に転写する2つの方法を提示する。転写されたグラフェン膜は,約280Ωパースクエアという非常に低いシート抵抗と約80パーセントの光透過率を示す。低温では,二酸化シリコン基板に転写されたグラフェン単層は,3,700cm²V^-1s^-1を超える電子移動度と半整数量子ホール効果を示しており,化学気相成長法で成長させたグラフェンの質が,機械的剥離によるグラフェンと同程度であることを示唆している。さらに,グラフェンの優れた機械的特性を利用して,曲げやすく伸縮と折りたたみが可能な電子機器に,これらの高導電性透明電極を利用する巨視的用途も実証した。Copyright Nature Publishing Group 2009

シソーラス用語： *グラファイト ,  透明電極 ,  *パターン形成 ,  *化学蒸着 ,  基板 ,  ニッケル ,  金属薄膜 ,  多層膜 ,  *転写 ,  シート抵抗 ,  光透過 ,  単分子層 ,  *キャリア移動度 ,  量子Hall効果 ,  *柔軟性 ,  半導体薄膜 ,  グラフェン ,  電子移動度
準シソーラス用語： 化学気相成長法

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 伸縮 ,  透明電極 ,  グラフェン膜 ,  大規模 ,  成長