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J-GLOBAL ID：200902260855256677   整理番号：08A0452407

複数ファブと技術の比較によるランダムしきい値電圧変動の理解

Understanding Random Threshold Voltage Fluctuation by Comparing Multiple Fabs and Technologies

著者 (9件)： TAKEUCHI K. (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI K. (NEC, Kanagawa, JPN) ,  FUKAI T. (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  TSUNOMURA T. (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  PUTRA A.T. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIDA A. (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  KAMOHARA S. (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  HIRAMOTO T. (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  HIRAMOTO T. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2007 Vol.1  ページ： 467-470  発行年： 2007年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランダム変動の決定的な重要性にもかかわらず,その定量的な理解はまだ十分になされていない。この問題に取り組むために,複数ファブ,世代および技術からMOSFETのランダムV_th(しきい値電圧)変動の測定データを収集し,特別な正規化法を用いて比較し,詳細に検討した。複雑な状態を避けるために,低V_DS,長チャネル特性に焦点を合わせた。その結果,P-FETの変動はデバイスの世代や設計に関係なくドーパントの変動によるものであり,N-FETの変動にはさらに余分の変動メカニズムがあることが分った。まず,データの取り扱いに必要な変動の正規化法を説明し,実験データを記した。

シソーラス用語： 工場 ,  *技術 ,  *比較 ,  無秩序系 ,  電圧 ,  閾値 ,  *電圧変動 ,  理解 ,  MOSFET ,  測定データ ,  データ収集 ,  正規化
準シソーラス用語： *しきい値電圧 ,  *ファブ ,  ランダム系

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： ファブ ,  しきい値電圧 ,  理解