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J-GLOBAL ID：200902260910439212   整理番号：04A0085654

極薄および極短シリコン-オン-絶縁体MOSFETの量子輸送シミュレーション

Quantum Transport Simulation of Ultrathin and Ultrashort Silicon-On-Insulator Meta1-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者 (4件)： TSUCHIYA H (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  HORINO M (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  OGAWA M (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  MIYOSHI T (Kobe Univ., Kobe, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 12  ページ： 7238-7243  発行年： 2003年12月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールのシリコン-オン-絶縁体MOSFETにおける量子...

シソーラス用語： SOI構造 ,...
準シソーラス用語： 伝導帯 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• 1) S. Takagi, J. Koga and A. Toriumi: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 1289.
• 2) K. Natori: IEICE Trans. Electron. E84-C (2001) 1029.
• 3) M. Ancona and G. Iafrate: Phys. Rev. B 39 (1989) 9536.
• 4) J. R. Zhou and D. K. Ferry: IEEE Trans. Electron Devices 39 (1992) 473.
• 5) M. Ogawa, H. Tsuchiya and T. Miyoshi: IEICE Trans. Electron. E86-C (2003) 363.

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  絶縁体 ,  MOSFET ,  量子輸送 ,  シミュレーション