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J-GLOBAL ID：200902260976762928   整理番号：03A0547794

MgOドープBa_0.7Sr_0.3TiO₃絶縁層を用いた金属-強誘電体-金属-絶縁体-半導体構造における保持時間の改善

Improvement in retention time of metal-ferroelectric-metal- insulator-semiconductor structures using MgO doped Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ insulator layer

著者 (2件)： TSENG T Y (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LEE S Y (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 83  号： 5  ページ： 981-983  発行年： 2003年08月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体メモリFET用としてPt/Bi<sub>3.35<...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： 強誘電体メモリ ,...

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分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： MgO ,  ドープ ,  絶縁層 ,  金属-強誘電体-金属-絶縁体-半導体構造 ,  保持時間