Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP について
DOLMANAN Surani Bin について
Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP について
SHEN Lu について
Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP について
VIJILA Chellappan について
Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP について
CHUA Soo Jin について
Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP について
PNG Rui-qi について
Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, Lower Kent Ridge Road, Singapore 117542, SGP について
CHIA Perq-jon について
Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, Lower Kent Ridge Road, Singapore 117542, SGP について
CHUA Lay-lay について
Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, Lower Kent Ridge Road, Singapore 117542, SGP について
HO Peter K.-H. について
Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, Lower Kent Ridge Road, Singapore 117542, SGP について
Journal of Applied Physics について
薄膜トランジスタ について
ポリヘキシルチオフェン について
高分子半導体 について
基板 について
表面処理 について
低周波雑音 について
1/f雑音 について
電流電圧特性 について
長さ について
パワースペクトル について
チャネル長 について
有機薄膜トランジスタ について
トランジスタ について
有機薄膜トランジスタ について
低周波雑音 について
解析 について