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J-GLOBAL ID：200902261034069670   整理番号：09A0064097

有機薄膜トランジスタの低周波雑音の解析

Low frequency noise analysis on organic thin film transistors

著者 (9件)： KE Lin (Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP) ,  DOLMANAN Surani Bin (Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP) ,  SHEN Lu (Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP) ,  VIJILA Chellappan (Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP) ,  CHUA Soo Jin (Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP) ,  PNG Rui-qi (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, Lower Kent Ridge Road, Singapore 117542, SGP) ,  CHIA Perq-jon (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, Lower Kent Ridge Road, Singapore 117542, SGP) ,  CHUA Lay-lay (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, Lower Kent Ridge Road, Singapore 117542, SGP) ,  HO Peter K.-H. (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, Lower Kent Ridge Road, Singapore 117542, SGP)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 12  ページ： 124502  発行年： 2008年12月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チャネル長の異なるポリ(3-へキシルチオフェン)系ボトム電極型有機電界効果トランジスタ(OFETs)を基板の前処理条件を変えて作製した。これらのOFETsを低周波雑音(LFN)スペクトロスコピーにより評価し,デバイスの性能パラメータとLFNレベルとを関連づけた。その結果,同一チャネル長のデバイスを同一I_dsで動作させて比較した場合,雑音レベルの高いデバイスはデバイス特性も劣ることが分かった。また前処理条件が同一のデバイスでは,雑音レベルはチャネル長が増すにつれて増大した。これはチャネル物質の界面領域におけるキャリの捕獲・脱離の増大に起因する。しきい値電圧(V_th)近傍で動作するこのOFETは,傾斜の小さい,平坦な1/f雑音勾配を持つだろう。したがってデバイスのV_thは,1/f雑音強度が低周波数において最大となるようなゲート電圧におい観測される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ポリヘキシルチオフェン ,  高分子半導体 ,  基板 ,  表面処理 ,  *低周波雑音 ,  1/f雑音 ,  電流電圧特性 ,  長さ ,  パワースペクトル
準シソーラス用語： チャネル長 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 有機薄膜トランジスタ ,  低周波雑音 ,  解析