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J-GLOBAL ID：200902261035000020   整理番号：08A0938750

低温における分子ビームエピタクシーによるGe(111)上への強磁性フルホイスラー合金Fe₂MnSiの成長

Low-temperature molecular beam epitaxy of a ferromagnetic full-Heusler alloy Fe₂MnSi on Ge(111)

著者 (7件)： UEDA K. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  HAMAYA K. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  YAMAMOTO K. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  ANDO Y. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  SADOH T. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  MAEDA Y. (Dep. of Energy Sci. and Technol., Kyoto Univ., Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, JPN) ,  MIYAO M. (Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 11  ページ： 112108  発行年： 2008年09月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 130°Cおよび200°Cの低温での分子ビームエピタクシーによって,IV族半導体のGe(111)上に強磁性フルホイスラー合金層,Fe₂MnSi,をエピタキシャル成長させた。Fe₂MnSi/Ge(111)層は原子スケールで急峻な界面を有し,秩序化したL2₁相を含むことが分かった。この試料は飽和磁化が2.2μ_B/f.u.,そしてCurie温度が210Kという強磁性の特徴を持ち,これらの値はバルクのFe₂MnSiと同程度であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MBE成長 ,  ゲルマニウム ,  基板 ,  *強磁性体 ,  *鉄合金 ,  マンガン含有合金 ,  ケイ素含有合金 ,  金属間化合物 ,  ホイスラー合金 ,  飽和磁化 ,  Curie温度 ,  *磁性薄膜

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  分子ビームエピタクシー ,  Ge ,  強磁性 ,  フルホイスラー合金 ,  成長