佐道泰造

サドウタイゾウ | Sadoh Taizoh

所属機関・部署：
職名：准教授
ホームページURL (1件)： http://nano.ed.kyushu-u.ac.jp/~sadoh_lab/

研究分野 (4件)：電子デバイス、電子機器 , 結晶工学 , 応用物性 , 半導体、光物性、原子物理

研究キーワード (5件)：半導体工学 , 固体物性I , 応用物性・結晶工学 , Solid-State Physics I , Applied Physics of Property and Crystallography

競争的資金等の研究課題 (32件)：

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論文 (218件)：

Takaya Nagano, Ryutaro Hara, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Taizoh Sadoh. Improved carrier mobility of Sn-doped Ge thin films (≤20 nm) on insulator by interface-modulated solid-phase crystallization combined with surface passivation. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 165
Keita Katayama, Hiroshi Ikenoue, Taizoh Sadoh. Modulation of Schottky barrier at metal/Ge contacts by phosphoric acid coating and excimer laser annealing. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023. 160
Ren Aoki, Keita Katayama, Daisuke Nakamura, Hiroshi Ikenoue, Taizoh Sadoh. Excimer Laser Doping for PN Junction Formation with Extremely Low Thermal Budget. 30th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2023 - Proceedings. 2023. 159-160
Gao, H., Sadoh, T. Layer-exchange crystallization for low-temperature (∼450 °c) formation of n-type tensile-strained Ge on insulator. Applied Physics Letters. 2020. 117. 17
Imokawa, K., Kurashige, T., Suwa, A., Nakamura, D., Sadoh, T., Goto, T., Ikenoue, H. Fabrication of CMOS Invertors in Si Thin-Film-Transistors by Laser Doping Using a Chemical Solution Coating. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2020. 8. 1. 27-32

MISC (188件)：

青木蓮, 片山慶太, 中村大輔, 薮田久人, 池上浩, 佐道泰造. エキシマレーザードーピングによる超高濃度p⁺n接合の形成. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
Taizoh Sadoh, Jong-Hyeok Park, Rikuta Aoki, Masanobu Miyao. Quasi-single crystal SiGe on insulator by Au-induced crystallization for flexible electronics (vol 55, 03CB01, 2016). JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2017. 56. 12
Sakai Takatsugu, Matsumura Ryo, Sadoh Taizoh, Miyao Masanobu. Low-Temperature Formation of Sn-Doped Ge on Insulating Substrates by Metal-Induced Crystallization. Meeting Abstracts. 2016. 33. 2130
朴鍾爀, 宮尾正信, 佐道泰造. フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成 (有機エレクトロニクス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2014. 114. 2. 17-20
松村亮, 佐道泰造, 宮尾正信. Formation of laterally-graded Ge based hetero-structure (有機エレクトロニクス). 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報. 2013. 113. 18. 17-23

特許 (7件)：

書籍 (1件)：

Works (13件)：

ヘテロ半導体におけるドライプロセス誘起欠陥の挙動解明と制御
2002 - 2003
Research on defects induced by dry-processing in hetero-semiconductor
2002 - 2003
Si系ヘテロ混晶の非熱平衡成長の創出とボンド配列の制御による新機能探索研究
2001 - 2003
Research on formation of Si-hetero semiconductor by bond modulation
2001 - 2003
過剰空孔の導入及びその緩和過程制御による擬似単結晶Si形成技術の研究
2000 - 2002

学歴 (4件)：

学位 (1件)：

経歴 (3件)：

受賞 (1件)：

所属学会 (4件)：

電子情報通信学会 , 米国電気電子工学会 , 電気学会 , 応用物理学会

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佐道 泰造