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J-GLOBAL ID：200902261849593510   整理番号：05A0154224

薄いBOX上のシリコン:広範囲のバックバイアス制御を特徴とする低電力と高性能用途に対するCMOSFETの新パラダイム

Silicon on Thin BOX: A New Paradigm of The CMOSFET for Low-Power and High-Performance Application Featuring Wide-Range Back-Bias Control

著者 (9件)： TSUCHIYA R (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HORIUCHI M (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KIMURA S (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAOKA M (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAWAHARA T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MAEGAWA S (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  IPPOSHI T (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  OHJI Y (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  MATSUOKA H (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004  ページ： 631-634  発行年： 2004年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LSIの一層の高性能化や低電力化に対するこれまでの標準的対応...

シソーラス用語： *CMOS構造 ,...
準シソーラス用語： BOX ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： BOX ,  シリコン ,  バック ,  バイアス ,  低電力 ,  高性能 ,  用途 ,  CMOSFET ,  パラダイム