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J-GLOBAL ID：200902262229972339   整理番号：08A0776526

MEMSのウエハレベルのパッケージング

Wafer level packaging of MEMS

著者 (1件)： ESASHI Masayoshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 18  号： 7  ページ： 073001,1-13  発行年： 2008年07月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MEMSのウエハレベルのパッケージングにより,パッケージングと試験のコストが下がり歩留まりと信頼性が向上するので,実用的なMEMSの製作には重要である。蓋ウエハをMEMSウエハへ接合するかあるいは犠牲層エッチングのために用いた開口を密閉することにより,ウエハレベルのパッケージングが行われる。真空空洞は,微小機械共振器や他のデバイス用に製作される。電気的な貫通接続の製作方法も示した。ガラスの深堀り反応性イオンエッチング(RIE)や熱膨張の小さい低温共焼結セラミックを,高密度垂直貫通接続に適用可能である。シリコンやガラスに亀裂を作るレーザダイシング法が開発され,MEMSが密閉されていない場合に,MEMSとチップの分離に有効な手段である。

シソーラス用語： *MEMS ,  *ICパッケージ ,  *ウエハ【IC】 ,  ボンディング【IC】 ,  層 ,  エッチング ,  空洞 ,  微小共振器 ,  回路部品 ,  RIE【エッチング】 ,  セラミック ,  レーザ切断 ,  *ウエハレベルパッケージ ,  低温共焼セラミック
準シソーラス用語： フィードスルー ,  犠牲層 ,  低温共焼結セラミック

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： MEMS ,  ウエハレベル ,  パッケージング