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J-GLOBAL ID：200902262464811423   整理番号：04A0477432

n-チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用のNbOゲート電極

NbO as gate electrode for n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors

著者 (3件)： GAO W (Sharp Labs of America, Washington) ,  CONLEY J F JR (Sharp Labs of America, Washington) ,  ONO Y (Sharp Labs of America, Washington)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 84  号： 23  ページ： 4666-4668  発行年： 2004年06月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NMOSFET素子に対する低い仕事関数(4.18±0.05e...

シソーラス用語： *NMOS構造 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： チャネル ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  NbO ,  ゲート電極