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J-GLOBAL ID：200902262542501460   整理番号：08A0569163

a-C:H/a-C:N:H/アルミニウム構造の電気的性質

Electric properties of a-C:H/a-C:N:H/aluminum structure

著者 (2件)： AKASAKA Hiroki (Dep. of Mechanical Sciences and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 O-Okayama, Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, JPN) ,  OHTAKE Naoto (Dep. of Materials, Physics and Energy Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku. Nagoya, Aichi 464-8603, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 17  号： 4-5  ページ： 673-675  発行年： 2008年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリアのドリフトによりSi基板に依存しない炭素膜を用いて光電特性を得るために,Alと非晶質炭素で構成した光電セルを作製した。高周波CVD法により平滑なAl基板やn-型Si上に2タイプの非晶質炭素を蒸着した。第1の層は窒素ドープ水素化非晶質炭素(a-C:N:H)膜であり,第2の層は水素化非晶質炭素(a-C:H)膜である。a-C:N:H膜中の窒素原子はN-H構造として導入された。両タイプの膜は電気電導度の温度依存性に基づいて半導体であると確認された。a-C:N:H/n-Si構造は光電特性を示した。さらに,a-C:H/a-C:N:H/Al構造のセルも5.5mVの開放端電圧と0.83μA/cm²の短絡電流を持つ光電特性を示した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭素材 ,  ドーパント ,  窒素 ,  多層構造 ,  プラズマCVD ,  製膜 ,  光伝導 ,  *光電効果 ,  半導性 ,  アモルファスカーボン
準シソーラス用語： 非晶質炭素

分類 (3件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (2件)： アルミニウム ,  電気的性質