文献

J-GLOBAL ID：200902262806909579   整理番号：09A0759304

珪素表面酸化の初期段階の運動学: Deal-Groveか表面核形成か

Kinetics of the initial stage of silicon surface oxidation: Deal-Grove or surface nucleation?

著者 (3件)： LEVCHENKO I. (CSIRO Materials Sci. and Engineering, P.O. Box 218, Lindfield, New South Wales 2070, AUS) ,  CVELBAR U. (Jozef Stefan Inst., Jamova cesta 39, SI-1000 Ljubljana, SVN) ,  OSTRIKOV K. (CSIRO Materials Sci. and Engineering, P.O. Box 218, Lindfield, New South Wales 2070, AUS)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 2  ページ： 021502  発行年： 2009年07月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ中の超低温におけるSi表面の核形成で開始された酸化を実験により実証した。酸化膜厚が極めて薄い(数nm)場合の酸化速度とSiOナノドットの形成を十分に記述できないDeal-Grove機構と対照的に,Si/SiO界面におけるSi酸化を予測した。実験結果に基づいて,酸化の代替機構を提唱し,多重尺度数値シミュレーションにより支援し,酸化によるマイクロ及びナノ小丘の飽和がSi表面酸化創始の誘発機構であることを示唆した。本手法は一般的で,他の材料の低温酸化の運動学の記述にも応用できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *酸化 ,  運動学 ,  低温 ,  シミュレーション ,  酸化膜 ,  核形成 ,  プラズマ ,  半導体材料 ,  ナノ構造 ,  反応速度 ,  酸化ケイ素 ,  *モデル
準シソーラス用語： *表面酸化 ,  低温酸化 ,  ヒロック ,  数値シミュレーション ,  ナノドット ,  酸化速度 ,  *Deal-Grove模型

分類 (2件)： プラズマ生成・加熱  (BJ02060E) ,  界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 珪素 ,  表面酸化 ,  初期段階 ,  運動学