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J-GLOBAL ID：200902262922371276   整理番号：08A1198229

ナノスケールNANDフラッシュメモリのプログラミング中の電子注入統計用の解析モデル

Analytical Model for the Electron-Injection Statistics During Programming of Nanoscale NAND Flash Memories

著者 (7件)： MONZIO COMPAGNONI Christian (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  MONZIO COMPAGNONI Christian (Italian Univ. Nano-Electronics Team(IU.NET), Bologna, ITA) ,  GUSMEROLI Riccardo (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  GUSMEROLI Riccardo (Italian Univ. Nano-Electronics Team(IU.NET), Bologna, ITA) ,  SPINELLI Alessandro S. (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  SPINELLI Alessandro S. (Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Milano, ITA) ,  VISCONTI Angelo (Central Res. and Dev., Brianza, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55  号： 11  ページ： 3192-3199  発行年： 2008年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NANDフラッシュメモリの定電流Fowler-Nordheimプログラム動作に対する詳細な解析モデルについて報告した。まず,フローティングゲート電圧に対するゲートトンネル電流の指数近似を使って,プログラム動作中の平均V_t過渡状態を調べた。次に,この結果を使って電子注入統計によるΔV_t広がりをモデル化した。このモデルでは,各電子のフローティングゲートへの注入に続くトンネル酸化膜電界低下を考慮しており,大きいΔV_t値で見られる広がりのサブPoisson性を正しく説明できる。最後に,電子制御セル状態数の低下のため,セルのスケーリングによりプログラムアルゴリズムの達成可能な正確性を低下させることを示した。

シソーラス用語： *NAND回路 ,  *フラッシュメモリ ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  *キャリア注入 ,  *解析モデル ,  電圧 ,  フローティングゲート ,  トンネル効果 ,  スケーリング【計数】 ,  Poisson分布 ,  酸化膜 ,  絶縁膜
準シソーラス用語： トンネル酸化膜 ,  トンネル電流 ,  ナノスケール ,  電子注入 ,  閾値電圧

分類 (3件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  NANDフラッシュメモリ ,  プログラミング ,  電子注入 ,  統計 ,  解析モデル