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J-GLOBAL ID：200902263089039595   整理番号：04A0781292

プラズマ励起分子線エピタキシーにより成長させたAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスターの電気的性質およびDCデバイス特性の障壁厚さ依存性

Barrier Thickness Dependence of Electrical Properties and DC Device Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy

著者 (2件)： HIGASHIWAKI M (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MATSUI T (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 9A/B  ページ： L1147-L1149  発行年： 2004年09月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al_0.4Ga<sub>0.6</su...

シソーラス用語： MBE成長 ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (9件)：

• 1) M. Micovic, N. X. Nguyen, P. Janke, W.-S. Wong, P. Hashimoto, L.-M. McCray and C. Nguyen: Electron. Lett. 36 (2000) 358.
• 2) V. Kumar, W. Lu, R. Schwindt, A. Kuliev, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan and I. Adesida: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 455.
• 3) A. Endoh, Y. Yamashita, K. Ikeda, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu and T. Mimura: Phys. Status Solidi (c) 200 (2003) 2368.
• 4) H. Okita, K. Kaifu, J. Mita, T. Yamada, Y. Sano, T. Ishikawa, T. Egawa and T. Jimbo: Phys. Status Solidi (a) 200 (2003) 187.
• 5) L. Shen, R. Coffie, D. Buttari, S. Heikman, A. Chakraborty, A. Chini, S. Keller, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 7.

タイトルに関連する用語 (13件)： プラズマ ,  励起 ,  分子線エピタキシー ,  成長 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスター ,  電気的性質 ,  DC ,  デバイス特性 ,  障壁 ,  厚さ依存性