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J-GLOBAL ID：200902263809685546   整理番号：03A0708810

SiドープAlGaNキャリア注入層を備えたGaN系ヘテロ構造電界効果トランジスタのフリッカ雑音

Flicker Noise of GaN-Based Heterostructure Field-Effect Transistors With Si-Doped AlGaN Carrier Injection Layer

著者 (6件)： SU Y-K (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN) ,  WEI S-C (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN) ,  WANG R-L (National Kaohsiung Inst. Marine Technol., Kaohsiung, TWN) ,  CHANG S-J (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN) ,  KO C-H (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN) ,  KUAN T-M (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 24  号： 10  ページ： 622-624  発行年： 2003年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)...

シソーラス用語： *接合形FET ,...
準シソーラス用語： フリッカ雑音 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  ドープ ,  AlGaN ,  キャリア注入 ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  フリッカ雑音