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J-GLOBAL ID：200902264172851150   整理番号：08A0441127

超伝導Nb/n-InGaAs接合におけるフォトルミネセンス増大効果

著者 (11件)： 倉光周平 (北大 電子科研) ,  林雄二郎 (北大 電子科研) ,  田中和典 (浜ホト 中研) ,  田中和典 (JST-CREST) ,  赤崎達志 (NTT 基礎研) ,  赤崎達志 (JST-CREST) ,  定昌史 (北大 電子科研) ,  熊野英和 (北大 電子科研) ,  熊野英和 (JST-CREST) ,  末宗幾夫 (北大 電子科研) ,  末宗幾夫 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 3  ページ： 1451  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 超伝導 ,  *ニオブ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヘテロ接合 ,  *光ルミネセンス ,  *放射強度 ,  Cooper対 ,  光子 ,  重合せ ,  リン化インジウム ,  基板 ,  転移温度 ,  超放射 ,  *再結合放射 ,  化合物半導体 ,  量子もつれ
準シソーラス用語： 量子からみ合い

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 伝導 ,  Nb ,  InGaAs ,  フォトルミネセンス