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J-GLOBAL ID:200902264268286852   整理番号:08A1148590

45nmノードSRAMセルに対する仕事関数最適化によるVth変動の低減

Reduction of Vth Variation by Work Function Optimization for 45-nm Node SRAM Cell
著者 (10件):
資料名:
巻: 2008  ページ: 123-124  発行年: 2008年 
JST資料番号: A0035B  ISSN: 0743-1562  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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VLSI技術において回路性能や歩留まりに大きく影響を与える重要な変動要素は,ドーパント変動,Hf成分変動およびドーパント変動により誘起されるS因子変動である。本稿では,ランダムドーパント変動(IRDV)の観点から,仕事関数(WF)の制御によるΔVFBを最適化する技術を記述した。最適ΔVFBが2つの競合変動因子,線形および飽和Vth両方で現れるIRDVと飽和Vthだけで現れるS因子変動により決定されることを示した。Hfドープケイ酸塩によりWF制御を行い,VthとSRAMセル電流変動の低減を実現した。最適ΔVFBのシミュレーション評価と45nmノードSRAMの測定結果を示した。
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分類 (3件):
分類
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記憶装置  ,  トランジスタ  ,  固体デバイス材料 
タイトルに関連する用語 (5件):
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