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J-GLOBAL ID：200902264268286852   整理番号：08A1148590

45nmノードSRAMセルに対する仕事関数最適化によるVth変動の低減

Reduction of Vth Variation by Work Function Optimization for 45-nm Node SRAM Cell

著者 (10件)： TSUTSUI G. (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  TSUNODA K. (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  KARIYA N. (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  AKIYAMA Y. (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  ABE T. (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  MARUYAMA S. (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUKASE T. (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  SUZUKI M. (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMAGATA Y. (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  IMAI K. (NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2008  ページ： 123-124  発行年： 2008年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VLSI技術において回路性能や歩留まりに大きく影響を与える重要な変動要素は,ドーパント変動,Hf成分変動およびドーパント変動により誘起されるS因子変動である。本稿では,ランダムドーパント変動(IRDV)の観点から,仕事関数(WF)の制御によるΔV_FBを最適化する技術を記述した。最適ΔV_FBが2つの競合変動因子,線形および飽和V_th両方で現れるIRDVと飽和V_thだけで現れるS因子変動により決定されることを示した。Hfドープケイ酸塩によりWF制御を行い,V_thとSRAMセル電流変動の低減を実現した。最適ΔV_FBのシミュレーション評価と45nmノードSRAMの測定結果を示した。

シソーラス用語： *SRAM ,  記憶素子 ,  *仕事関数 ,  *最適化 ,  電圧 ,  *電圧変動 ,  ドーパント ,  変動 ,  S因子 ,  ハフニウム ,  ケイ酸塩 ,  ドーピング
準シソーラス用語： Hf ,  ドープ ,  *メモリセル ,  関数最適化 ,  *閾値電圧

分類 (3件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ノード ,  SRAM ,  セル ,  仕事 ,  関数最適化