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J-GLOBAL ID：200902264608791794   整理番号：09A0920186

自立型基板上の熱電マイクロデバイスの作製と評価

Fabrication and Evaluation of a Thermoelectric Microdevice on a Free-Standing Substrate

著者 (6件)： KUROSAKI J. (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  YAMAMOTO A. (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  TANAKA S. (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  CANNON J. (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  MIYAZAKI K. (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  TSUKAMOTO H. (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 38  号： 7  ページ： 1326-1330  発行年： 2009年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱電デバイスは熱エネルギーを可動部品と燃料なしで電気エネルギーに変換できて,エネルギーハーベスティングに利点を有している。本論文では,標準の微細加工プロセスにより作製したシャドウマスクを用いて,テルル化ビスマス薄膜からつくられた同一面内熱電マイクロデバイス(4mm×4mm)を製作し,それらの性能を評価した。p型半導体としてBi_0.4Te_3.0Sb_1.6を,n型半導体としてBi_2.0Te_2.7Sb_0.3を用いた。Siウエハ上のSi₃N₄の自立型薄膜の上に,pおよびn型熱電薄膜を堆積し,Si基板の底を加熱しながら,マイクロデバイスの出力電圧を測定した。熱電デバイスの最大出力電圧は,373Kのときに48mVであった。

シソーラス用語： *熱電素子 ,  *MEMS ,  マイクロマシニング ,  熱電気変換 ,  *熱電発電 ,  ビスマス合金 ,  テルル含有合金 ,  セレン含有合金 ,  素子構造 ,  ケイ素 ,  半導体チップ ,  テスト構造 ,  熱回収
準シソーラス用語： マイクロデバイス

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自立 ,  マイクロデバイス ,  作製 ,  評価