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J-GLOBAL ID：200902264929103199   整理番号：06A0057496

InGaNによるバック障壁を設けたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors With InGaN Back-Barriers

著者 (6件)： PALACIOS T. (Univ. California, CA, USA) ,  CHAKRABORTY A. (Univ. California, CA, USA) ,  HEIKMAN S. (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S. (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S. P. (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U. K. (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 27  号： 1  ページ： 13-15  発行年： 2006年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/超薄InGaN/GaNヘテロ接合を用いて電子に対する...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： ダブルヘテロ接合

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  バック ,  障壁 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ