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J-GLOBAL ID：200902265012976297   整理番号：08A0277087

吸収と増倍の独立した背面照明型GaNアバランシェフォトダイオード

Back-illuminated separate absorption and multiplication GaN avalanche photodiodes

著者 (5件)： PAU J. L. (Center for Quantum Devices, Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Northwestern Univ., Evanston, Illinois ...) ,  BAYRAM C. (Center for Quantum Devices, Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Northwestern Univ., Evanston, Illinois ...) ,  MCCLINTOCK R. (Center for Quantum Devices, Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Northwestern Univ., Evanston, Illinois ...) ,  RAZEGHI M. (Center for Quantum Devices, Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Northwestern Univ., Evanston, Illinois ...) ,  SILVERSMITH D. (Air Force Office of Scientific Res., Arlington, Virginia 22203, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 10  ページ： 101120  発行年： 2008年03月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 吸収領域と増倍領域が別れた背面照明アバランシェフォトダイオード(APD)の性能を示した。活性領域が225μm²の素子は41200の最大増倍利得を示した。雑音等価パワーの計算では利得3000において最小値3.3×10^-14 W Hz^-1/2を示し,利得41200において2.0×10^-13 W Hz^-1/2に増加した。応答エッジの広がりをバイアスの関数として解析した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アバランシェフォトダイオード ,  *窒化ガリウム ,  利得 ,  増倍係数 ,  光電流

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 背面 ,  照明 ,  GaN ,  アバランシェフォトダイオード