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J-GLOBAL ID：200902265177762607   整理番号：08A0914252

原子層蒸着Al₂O₃によるシリコンの表面不動態化

Silicon surface passivation by atomic layer deposited Al₂O₃

著者 (5件)： HOEX B. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  SCHMIDT J. (Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln/Emmerthal (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU) ,  POHL P. (Inst. fuer Solarenergieforschung Hameln/Emmerthal (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal, DEU) ,  VAN DE SANDEN M. C. M. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  KESSELS W. M. M. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 4  ページ： 044903  発行年： 2008年08月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマアシスト原子層蒸着(ALD)によって合成した厚さが7~30nmのAl₂O₃薄膜を異なったドーピング濃度の結晶シリコン(c-Si)の表面不動態化に用いた。この研究の表面不動態化のレベルは光コンダクタンス,光ルミネセンスおよび赤外発光を用いて求めた。1.9Ωcmのn型と2.0Ωcmのp型のc-Siでそれぞれ2cm/sと6cm/sの有効表面再結合速度が得られた。Al₂O₃で不動態化した近真性c-Siの場合には1cm/s以下の有効表面再結合速度が明確に得られた。Al₂O₃膜では高密度の負の固定電荷を検出し,それが表面不動態化のレベルに及ぼす影響を実験的に示した。負の固定電荷密度によってp型c-Siに対する有効寿命の注入レベル依存性がフラットになり,また,それによってAl₂O₃によるBドープc-Siの不動態化が優れていることを説明することができた。さらに,同じALD反応装置中で作製した熱的とプラズマアシストALDAl₂O₃膜に対して得られた表面不動態化の簡単な比較を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *不動態化 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *酸化アルミニウム ,  化学蒸着 ,  速度 ,  キャリア再結合 ,  電荷 ,  キャリア寿命 ,  注入量 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： 原子層蒸着 ,  固定電荷 ,  表面再結合速度

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  試料技術  (BA02070O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子層蒸着 ,  Al2O3 ,  シリコン ,  表面不動態化