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J-GLOBAL ID：200902265523307024   整理番号：07A0280724

c及びm面窒化ガリウム上での金属-酸化物-半導体キャパシタの比較

Comparison of metal-oxide-semiconductor capacitors on c- and m-plane gallium nitride
著者 (3件)：
MATOCHA Kevin

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(GE Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309)

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TILAK Vinayak

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(GE Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309)

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DUNNE Greg

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(GE Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309)

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資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 90  号： 12  ページ： 123511-123511-2  発行年： 2007年03月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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SiO2/GaN界面の特性を,極性c面...
シソーラス用語：
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分類 (2件)：
分類
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金属-絶縁体-半導体構造 
(BM03085X)

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,  薄膜一般 
(BK14010X)

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タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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窒化ガリウム

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酸化物

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, 
キャパシタ

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