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J-GLOBAL ID：200902265822912384   整理番号：05A0244124

GaNのShottkyダイオードの減少した漏れ電流に及ぼす低温成長させたGaNキャップ層の効果

Effect of low-temperature-grown GaN cap layer on reduced leakage current of GaN Schottky diodes

著者 (3件)： SHEU J K (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LEE M L (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LAI W C (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 86  号： 5  ページ： 052103.1-052103.3  発行年： 2005年01月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に有機金属気相エピタクシーで成長させたGaN...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ダイオード ,  漏れ電流 ,  低温成長 ,  キャップ層