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J-GLOBAL ID：200902265834170340   整理番号：08A0187758

512M位相変化ランダムアクセスメモリ(PRAM)におけるリセット分布を改善するための新しい熱消費セル方式

Novel Heat Dissipating Cell Scheme for Improving a Reset Distribution in a 512M Phase-change Random Access Memory (PRAM)

著者 (37件)： KANG D. H. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  KIM J. S. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  KIM Y. R. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  KIM Y. T. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  LEE M. K. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  JUN Y. J. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  PARK J. H. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  YEUNG F. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  JEONG C. W. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  YU J. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  KONG J. H. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  HA D. W. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  SONG S. A. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  PARK J. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  PARK Y. H. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  SONG Y. J. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  EUM C. Y. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  RYOO K. C. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  SHIN J. M. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  LIM D. W. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  PARK S. S. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  KIM J. H. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  PARK W. I. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  SIM K. R. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  CHEONG J. H. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  OH J. H. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  PARK J. H. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  KIM J. I. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  OH Y. T. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  LEE K. W. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  KOH S. P. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  EUN S. H. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  KIM N. B. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  KOH G. H. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  JEONG G. T. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  JEONG H. S. (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR) ,  KIM Kinam (Samsung Advanced Inst. Technol., Gyunggi-Do, KOR)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2007  ページ： 78-79  発行年： 2007年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PRAMはGe2Sb2Te5(GST)位相変化材料の高抵抗アモルファスリセット状態と低抵抗リセット状態の間に充分大きな読み感度マージンを持っている。GSTセルの部分結晶化を抑制することによって,512M PRAMの高電流でリセット状態の抵抗分布を改善するために新しい熱消費セル方式を開発した。この新しいセルは従来のセル構造に高熱伝導金属層を追加して余剰熱を急速に消費するように設計される。シミュレーション温度プロファイルより,修正セルは従来のものより周囲の熱消費がより効率的であり,修正セルにおける冷却率がリセット書き込み後より高くなる。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *相転移 ,  分布 ,  動作 ,  *熱 ,  シミュレーション ,  *セル構造 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： リセット ,  *熱消費

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 位相変化 ,  ランダムアクセスメモリ ,  PRAM ,  リセット ,  分布 ,  消費 ,  セル方式