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J-GLOBAL ID：200902266161689205   整理番号：09A0201343

直流プラズマ化学蒸着法で作られたナノサイズのドットアレイカーボンナノチューブエミッタの電界放出特性

Field emission characteristics of nano-sized dot array carbon nano-tube emitters fabricated by direct current plasma chemical vapor deposition

著者 (5件)： MATSUDA T. (Graduate School of Sci. and Technol., Shizuoka Univ., Hamamatsu 432-8561, JPN) ,  SATO J. (Graduate School of Sci. and Technol., Shizuoka Univ., Hamamatsu 432-8561, JPN) ,  ISHIKAWA T. (Graduate School of Sci. and Technol., Shizuoka Univ., Hamamatsu 432-8561, JPN) ,  OGINO A. (Graduate School of Sci. and Technol., Shizuoka Univ., Hamamatsu 432-8561, JPN) ,  NAGATSU M. (Graduate School of Sci. and Technol., Shizuoka Univ., Hamamatsu 432-8561, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 18  号： 2-3  ページ： 548-552  発行年： 2009年02月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノサイズのドットアレイカーボンナノチューブ(CNT)エミッタを直流プラズマ増強化学蒸着法で作製した。電界放出特性のターンオン電圧は,100nmのドットアレイCNTエミッタでは,一様に成長した垂直配列CNTでの300Vから,140Vに減少した。5030という高い電場増強因子βを,100nmのドットアレイCNTエミッタのFowler-Nordheim(F-N)プロットから評価した。さらに,CNTエミッタの電界放出特性に対する,Arプラズマ処理の効果を報告した。電界放出特性は,2分のArプラズマ処理でかなり改良された。また,2~5分間のプラズマ処理の後には,F-Nプロットが,非線形から直線に変化した。この結果から,観察された非線形のF-Nプロットは,CNTチップの構造に関連があると考えられる。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  *エミッタ【半導体】 ,  *アレイ ,  *プラズマCVD ,  基板 ,  ケイ素 ,  拡散障壁 ,  クロム ,  金属薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  触媒 ,  鉄 ,  ニッケル ,  *熱CVD ,  アルキン ,  アンモニア ,  放電 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  プラズマ処理 ,  *電界放出 ,  長さ
準シソーラス用語： *ドット ,  ナノサイズ ,  プラズマ化学蒸着 ,  拡散バリヤ

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

物質索引 (1件)： アセチレン

タイトルに関連する用語 (4件)： 直流 ,  プラズマ化学蒸着法 ,  ナノサイズ ,  電界放出