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J-GLOBAL ID：200902266317847922   整理番号：05A0001395

分子ビームエピタクシーにより成長させたAlGaN/GaNヘテロ構造における160000cm²/Vsを超える電子移動度

Electron mobility exceeding 160000cm²/V s in AlGaN/GaN heterostructures grown by molecular-beam epitaxy

著者 (6件)： MANFRA M J (Lucent Technol., New Jersey) ,  BALDWIN K W (Lucent Technol., New Jersey) ,  SERGENT A M (Lucent Technol., New Jersey) ,  WEST K W (Lucent Technol., New Jersey) ,  MOLNAR R J (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts) ,  CAISSIE J (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 85  号： 22  ページ： 5394-5396  発行年： 2004年11月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNヘテロ構造における非常に高い移動度の二次元...

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,...
準シソーラス用語： 半絶縁性

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  Vs ,  電子移動度