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J-GLOBAL ID：200902266339035239   整理番号：06A0552220

n型4H-SiCエピタキシャルウエハにおける熱酸化物の信頼性と転位との相関

Correlation between reliability of thermal oxides and dislocations in n-type 4H-SiC epitaxial wafers

著者 (5件)： SENZAKI Junji (Power Electronics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., AIST Tsukuba Central 2 ...) ,  KOJIMA Kazutoshi (Power Electronics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., AIST Tsukuba Central 2 ...) ,  KATO Tomohisa (Power Electronics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., AIST Tsukuba Central 2 ...) ,  SHIMOZATO Atsushi (Power Electronics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., AIST Tsukuba Central 2 ...) ,  FUKUDA Kenji (Power Electronics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., AIST Tsukuba Central 2 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 89  号： 2  ページ： 022909-022909-3  発行年： 2006年07月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型4H-SiC(0001)エピタキシャルウエハにおける熱酸...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： アニール

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分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  エピタキシャル ,  ウエハ ,  熱酸化 ,  転位 ,  相関