研究者

J-GLOBAL ID：200901022016073344 更新日: 2022年09月29日

加藤智久

カトウトモヒサ | Katou Tomohisa

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T08052323
MISC (11件)：

Junji Senzaki, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Atsushi Shimozato, Kenji Fukuda. Correlation between reliability of thermal oxides and dislocations in n-type 4H-SiC epitaxial wafers. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 89. 2. 022909-
T Kato, S Nishizawa, H Yamaguchi, K Arai. In-situ observation of SiC bulk single crystal growth by XRD system. JOURNAL OF RARE EARTHS. 2006. 24. 2. 49-53
Investigation of in-grown dislocations in 4H-SiC epitaxial layer. MATERIALS SCIENCE FORUM. 2006. 527-529. 147-152
S Nakashima, T Kato, S Nishizawa, T Mitani, H Okumura, T Yamamoto. Deep ultraviolet raman microspectroscopic characterization of polishing-induced surface damage in SiC crystals. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. 2006. 153. 4. G319-G323
Defect Characterization of 4H-SiC Bulk Crystals Grown on Micropipe Filled Seed Crystal. MATERIALS SCIENCE FORUM. 2005. 483-485. 315-318

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