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J-GLOBAL ID：200902266509221440   整理番号：07A1216172

金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)の光で制御できるパラメータS₂₂に基づいたバンドパスフィルタ

A band-pass filter based on the optically controllable S₂₂ parameter of a MESFET

著者 (2件)： MIKUMO Satoshi (Kusumoto Patent Office) ,  YAMAMOTO Yukio (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Fac. of Engineering, Osaka Sangyo Univ.)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 2  号： 3  ページ： 86-90 (J-STAGE)  発行年： 2005年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MESFETのドレインリアクタンスはレーザの照射により大きく...

シソーラス用語： *帯域フィルタ ,...
準シソーラス用語： アクティブフィルタ ,...

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分類 (1件)： ディジタルフィルタ  (NC04022Z)

引用文献 (7件)：

• [1] Y. Yamamoto, K. Kawasaki, and T. Itoh, “A MESFET controlled X-band active band pass filter, ” IEEE Trans. Microwave Guided Wave Lett., vol. 1, pp. 110-111, 1991.
• [2] Y. Yamamoto and T. Itoh, “Optical control of microwave integrated circuits, ” 1991 Microwave Workshop and Exhibition (MWE'91) Microwave Workshop Dig., pp. 115-120.
• [3] J. Lin, C. Y. Chang, Y. Yamamoto, and T. Itoh, “Progress of a tunable active bandpass filter, ” Annals Telecomm., vol. 47, pp. 499-507, 1992.
• [4] R. Simons, “Microwave performance of an optically controlled AlGaAs/GaAs High Electron Mobility Transistor and GaAs MESFET, ” IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 35, pp. 1444-1455, 1987.
• [5] A. Madjar, P. R. Herczfeld, and A. Paolella, “Analytical model for optically generated currents in GaAs MESFETs, ” IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 40, pp. 1681-1691, 1992.

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属半導体電界効果トランジスタ ,  MESFET ,  パラメータ ,  バンドパスフィルタ