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J-GLOBAL ID：200902266572743707   整理番号：07A0708141

ストライプパターン形成したr面サファイア基板上に成長させたGaNにおける転位減少

Dislocation reduction in GaN grown on stripe patterned r-plane sapphire substrates

著者 (8件)： CHEN Hou-guang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, I-Shou Univ., Kaohsiung 840, Taiwan) ,  KO Tsung-shine (Dep. of Photonics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan and Inst. of Electro-Optical Engineering, National ...) ,  LING Shih-chun (Dep. of Photonics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan and Inst. of Electro-Optical Engineering, National ...) ,  LU Tien-chang (Dep. of Photonics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan and Inst. of Electro-Optical Engineering, National ...) ,  KUO Hao-chung (Dep. of Photonics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan and Inst. of Electro-Optical Engineering, National ...) ,  WANG Shing-chung (Dep. of Photonics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan and Inst. of Electro-Optical Engineering, National ...) ,  WU Yue-han (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  CHANG Li (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 91  号： 2  ページ： 021914  発行年： 2007年07月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNにおける大幅な転位減少を,ストライプパターン形成した(...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： ストライプ構造

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： パターン形成 ,  サファイア基板 ,  成長 ,  GaN ,  転位