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J-GLOBAL ID：200902266896809123   整理番号：08A0452483

高スケーラビリティおよびナノ秒スイッチングをもつ新しい抵抗メモリ

A Novel Resistance Memory with High Scalability and Nanosecond Switching

著者 (13件)： ARATANI K. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  OHBA K. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  MIZUGUCHI T. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  YASUDA S. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHIIMOTO T. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  TSUSHIMA T. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  SONE T. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  ENDO K. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOUCHIYAMA A. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  SASAKI S. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAESAKA A. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMADA N. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  NARISAWA H. (Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2007 Vol.2  ページ： 783-786  発行年： 2007年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フラッシュメモリのスケーリング限界に対処すべく研究されている新メモリの中で,固体電解質に基づくメモリは,高速スイッチングおよび低セット/リセット電流の観点から有望であるが,保持時間の点でまだ不十分であった。本論文では,導電性Cuイオン活性化層および抵抗変化薄絶縁層から構成される新しい二重層電解質抵抗メモリを初めて報告した。この新タイプメモリのオン/オフメカニズムは,1)Cuイオンが印加電界により絶縁層を貫通し,2)そのイオンがCu導電性ブリッジを絶縁層に形成し,3)このブリッジは電界が逆方向に印加されるときにイオン活性化層まで分解して戻る,ことを前提とした。180nmCMOSプロセス1トランジスタ-1抵抗(1T-1R)セル構造をもつ4kビットメモリアレーにおける全てのセルの完全ナノ秒スイッチングを達成した。満足すべき保持特性,20nmφ迄のスケーラビリティおよび10⁷サイクル迄の耐久性を確認した。更に予備的な4-レベル動作についても述べた。

シソーラス用語： ナノ秒 ,  スイッチング ,  抵抗 ,  記憶装置 ,  *フラッシュメモリ ,  スケール則 ,  電解質 ,  *固体電解質 ,  保持時間 ,  銅 ,  動作 ,  イオン ,  活性化 ,  絶縁材料 ,  半導体プロセス ,  トランジスタ ,  セル構造 ,  アレイ回路 ,  記憶素子 ,  耐久性 ,  電気伝導 ,  導電性 ,  絶縁体
準シソーラス用語： CMOS工程 ,  Cu ,  スケーリング則 ,  メモリ ,  メモリアレイ ,  リセット ,  絶縁材 ,  *抵抗メモリ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： スケーラビリティ ,  ナノ秒 ,  スイッチング ,  抵抗メモリ