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J-GLOBAL ID：200902267053767999   整理番号：08A0187805

最先端SOI-CMOS技術における多重ストレスメモライゼーション

Multiple Stress Memorization In Advanced SOI CMOS Technologies
著者 (19件)：
WEI A.

WEI A. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

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WIATR M.

WIATR M. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

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MOWRY A.

MOWRY A. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

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GEHRING A.

GEHRING A. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

, 
BOSCHKE R.

BOSCHKE R. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

, 
SCOTT C.

SCOTT C. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

, 
HOENTSCHEL J.

HOENTSCHEL J. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

, 
DUENKEL S.

DUENKEL S. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

, 
GERHARDT M.

GERHARDT M. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

, 
FEUDEL T.

FEUDEL T. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

, 
LENSKI M.

LENSKI M. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

, 
WIRBELEIT F.

WIRBELEIT F. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

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OTTERBACH R.

OTTERBACH R. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

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CALLAHAN R.

CALLAHAN R. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

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KOERNER G.

KOERNER G. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

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KRUMM N.

KRUMM N. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

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GREENLAW D.

GREENLAW D. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について

, 
RAAB M.

RAAB M. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

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HORSTMANN M.

HORSTMANN M. について

(AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU)

AMD Saxony LLC & Co. KG, Dresden, DEU について


資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)

Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology について


巻： 2007  ページ： 174-175  発行年： 2007年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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最先端SOI-CMOSにおいて明確に区別できた二種類のストレスメモライゼーション現象について報告した。第一の現象は非晶質化ソースドレイン領域と低温アニールに関わり,第二の現象はSiの結晶状態に無関係で高温アニールに関わる。両方ともにNMOS駆動電流の改善に寄与し,その度合は加算的で,NMOSのIDSATが27%超改善された。第一の方はこれまで報告がなかったもので,その応力の機構がソースドレイン領域に局在していることを識別した。キャップ層形成とアニーリングの前の,ソースドレイン領域への多重オフセットイオン注入(非晶質化イオン注入)により改善が得られるというのが利点である。
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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CMOS構造

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SOI構造

SOI構造 について

, 
ケイ素

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*MOSFET

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ソース【半導体】

ソース【半導体】 について

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ドレイン【半導体】

ドレイン【半導体】 について

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RTA【熱処理】

RTA【熱処理】 について

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温度

温度 について

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イオン注入

イオン注入 について

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電流

電流 について

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アモルファスシリコン

アモルファスシリコン について

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アモルファス化

アモルファス化 について

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アニーリング温度

アニーリング温度 について

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歪シリコン

歪シリコン について

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MOS構造

MOS構造 について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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駆動電流

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非晶質Si

非晶質Si について

, 
非晶質化

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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多重

多重 について


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