炭化けい素とサファイア基板上の高N<sub>2</sub>圧力下でのガリウム中の溶液からのバルクGaNの析出

BOCKOWSKI M; GRZEGORY I; KRUKOWSKI S; LUCZNIK B; WROBLEWSKI M; KAMLER G; BORYSIUK J; KWIATKOWSKI P; JASIK K

文献

J-GLOBAL ID：200902267116568428 整理番号：04A0749816

炭化けい素とサファイア基板上の高N₂圧力下でのガリウム中の溶液からのバルクGaNの析出

Deposition of bulk GaN from solution in gallium under high N₂ pressure on silicon carbide and sapphire substrates

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巻： 270 号： 3/4 ページ： 409-419 発行年： 2004年10月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

SiC,サファイアおよびGaN/サファイア鋳型のような異質の...

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半導体薄膜

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炭化けい素とサファイア基板上の高N2圧力下でのガリウム中の溶液からのバルクGaNの析出

炭化けい素とサファイア基板上の高N₂圧力下でのガリウム中の溶液からのバルクGaNの析出